DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1,为防止电容漏电而导致读取信息出错,需要周期性地给电容充电,即刷新。
而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1,所以不需要刷新。
另外,SRAM的存取速度比DRAM更高,常用作高速缓冲存储器Cache。
DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1,为防止电容漏电而导致读取信息出错,需要周期性地给电容充电,即刷新。
而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1,所以不需要刷新。
另外,SRAM的存取速度比DRAM更高,常用作高速缓冲存储器Cache。