高通骁龙835芯片基于三星10nm制造工艺打造。10纳米工艺相比14纳米将使得芯片速度快百分之二十七，效率提升百分之四十，高通骁龙835芯片面积将变得更小。
2016年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升百分之二十七或高达百分之四十的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会提升电池续航。